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        GIS絕緣缺陷類型
        點擊次數(shù):3991 更新時間:2018-06-19

        引發(fā)GIS的故障缺陷類型分布如圖所示。可見故障中接觸不良、自由金屬微粒、絕緣子上發(fā)生的故障占了大多數(shù)。

        GIS內(nèi)部不同缺陷類型引發(fā)的故障率

                         GIS內(nèi)部不同缺陷類型引發(fā)的故障率

        局部放電的發(fā)生和發(fā)展是導致GIS故障的主因,而局部放電與局部電場發(fā)生畸變有不可忽視的關系。長期的運行經(jīng)驗表明,可能導致GIS電場畸變的主要絕緣缺陷主要包括:針狀突起物、自由金屬微粒、懸浮電極、固體絕緣氣隙等,各種絕緣缺陷在GIS內(nèi)部的示意圖如圖所示。

        GIS內(nèi)部的絕緣缺陷

                              GIS內(nèi)部的絕緣缺陷

        1.1 針狀突起物

        在制造、安裝及操作GIS的過程中,可能會在高壓導體或金屬外殼上留下比較尖銳的針狀突起物。當設備兩端加上穩(wěn)態(tài)交流電壓時,針狀突起物的存在會改變場強分布,其周圍會形成高場強區(qū),若場強繼續(xù)增高并達到SF6氣體的擊穿場強時,穩(wěn)定的電暈放電就會發(fā)生,這將有利于間隙中的電場分布的改善,使電場分布變得更加均勻,故此時不易導致電極間的貫穿性擊穿。但是在快速電壓如沖擊、快速暫態(tài)過電壓(VETO)下,電場強度和電壓變化梯度都很大,針狀突起物則很容易引發(fā)GIS的局部擊穿,造成絕緣故障。因此,若能在放電初期就對此類針狀突起物進行檢測,對預防絕緣擊穿具有重要的意義。針狀突起物有的位于GIS外殼內(nèi)壁上,有的則出現(xiàn)在GIS內(nèi)部的高壓導體上,由于外殼與高壓導體的曲率半徑不同,前者的曲率半徑大于后者的曲率半徑,而場強與曲率半徑成反比,故高壓導體周圍的電場強度相對較高,出現(xiàn)在該位置的針狀突起物更容易引發(fā)局部放電。

         

        1.2 自由金屬微粒

        自由金屬微粒是GIS中普遍的絕緣缺陷,同時也是引發(fā)GIS絕緣故障的主要原因之一。可能造成此缺陷的原因一般是由于GIS制造或裝配過程中的清洗不到位,或者機械裝置動作時金屬摩擦產(chǎn)生的金屬粉末。金屬微粒具有積累電荷的能力,在外加電場時可以獲得感應電荷并積累一定能量,在交流電壓場的影響下可發(fā)生振動或改變位置。微粒運動與放電的可能性是隨機的,它們的運動程度除了與其材料和形狀有關,還會受到外加電場強度和作用時間的影響。當電場強到一定程度,使得自由金屬微粒獲得足夠大的動能,微粒就有可能會在其作用下越過GIS外殼和高壓導體之間的間隙。當微粒接近但尚未接觸到高壓導體時,更有可能發(fā)生局部放電現(xiàn)象。與導體上固定物的微粒相比,處于這種狀態(tài)下的微粒導致局部放電的可能性要高10倍左右。除此以外,若自由金屬微粒運動到絕緣子上并附著于其表面時,將可能導致絕緣子沿面閃絡并造成擊穿。

         

        在實際的生產(chǎn)和運行中微粒總是難以避免的,但是良好的設計和制造工藝可以降低自由金屬微粒產(chǎn)生的可能性,另外,GIS的組裝也是微粒產(chǎn)生的主要環(huán)節(jié),需要多加注意避免產(chǎn)生微粒。

         

        1.3 懸浮電極

        GIS內(nèi)部安裝著很多屏蔽電極,用于改善危險部分的電場強度,與空氣絕緣中的均壓環(huán)作用相同。在正常狀態(tài)下,屏蔽電極通過輕負載與高壓導體或接地導體相連。一般來說,由于只會有很小的容性電流通過這些連接部分,對它們的制造要求并不是那么的嚴格。但GIS運行一段時間以后,一些在安裝初期接觸的很好的連接部分,可能會由于開關操作引起的機械振動或老化而與其他部分之間出現(xiàn)接觸不良的問題,形成懸浮電極。而機械上的不良接觸又會引發(fā)因靜電力引起的機械振動,使接觸不良的問題更加嚴重。

         

        這類缺陷所形成的等效電容在充放電過程中會產(chǎn)生很強的局部放電信號(典型的是在>1000pC),易于檢測。同時會產(chǎn)生強烈的電磁輻射和超聲波,分解出腐蝕性物質(zhì)和微粒,使臨近的絕緣表面受到污染,終導致絕緣擊穿。

         

         

        1.4 固體絕緣氣隙

        固體絕緣氣隙缺陷一般都在在制造過程中形成,但是由于很小所以很難被檢測到。制造時不小心留下的內(nèi)部空隙、環(huán)氧樹脂材料在固化過程中熱收縮導致出現(xiàn)的內(nèi)部空隙都是造成固體絕緣氣隙缺陷的原因。此外由于環(huán)氧樹脂材料與電有不同的熱膨脹系數(shù),也有可能會導致氣泡的產(chǎn)生。在電場強度很高時,氣隙會引發(fā)三種不同的局部放電現(xiàn)象:沿氣隙壁的表面放電、沿氣隙上下底面的沿面放電和貫穿氣隙的氣體放電。

         

        1.5 其他因素的影響

        除了上述情況外,一些其他的因素也有可能會給GIS帶來絕緣缺陷問題。如在GIS的運輸過程中可能會發(fā)生振動和組件間的碰撞,元件容易發(fā)生變形或損傷。在交接試驗時,有些影響絕緣介質(zhì)性能的裝配錯誤有時會被漏檢,這種情況可能不會立刻引起絕緣故障,但可能會給以后的正常運行帶來嚴重的問題。除此之外,濕度也有可能會導致絕緣問題。由于SF6不可避免的會含有少量微水,微水會在溫度降低時產(chǎn)生凝露,使其易與其它物質(zhì)混合在一起附在固體絕緣表面,絕緣表面的導電性會受到嚴重影響。這會嚴重降低SF6氣體的絕緣性能,必須嚴格控制濕度以避免此類問題的產(chǎn)生。

         

        以上GIS的絕緣缺陷都可能會導致GIS中發(fā)生局部放電現(xiàn)象。絕緣體中的局部放電可能造成絕緣材料的腐蝕,進一步發(fā)展成電樹枝,并終導致絕緣擊穿。研究表明,不同絕緣缺陷所導致的局部放電信號的波形、頻譜等很多特性和參數(shù)都有較大的差異,所以可以通過對這些信號開展進一步的研究分析,進而對絕緣缺陷類型進行識別。

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